실리콘 카바이드

더 높은 온도 성능:SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 온도(종종 최대 400°C, 잠재적으로 최대 800°C)에서 작동할 수 있으므로 심각한 성능 저하 없이 극한 조건을 처리할 수 있는 보다 효율적인 전자 장치를 만들 수 있습니다. 이 인상적인 기능은 SiC의 높은 열 전도성과 낮은 전하 캐리어 농도 덕분입니다. 높은 열 전도성은 SiC 트랜지스터가 동등한 실리콘 칩보다 훨씬 작은 방열판을 사용할 수 있거나 비슷한 방열판을 사용하고 훨씬 더 많은 열을 견딜 수 있다는 것을 의미합니다. 실온에서 전하 캐리어의 농도가 낮다는 것은 SiC가 열적으로 해방된 전자가 고유한 전하 캐리어에 추가되어 트랜지스터를 플러딩하고 "온" 위치(전도 상태)에 고정하기 전에 더 큰 전기 부하를 견딜 수 있음을 의미합니다.

더 높은 항복 전압:SiC는 실리콘보다 항복 전압이 약 8배 더 높습니다(~300kV/cm 대 2400kV/cm). 이는 예측할 수 없는 전도 동작과 잠재적으로 치명적인 오류가 발생하기 전에 더 높은 전압을 견딜 수 있음을 의미합니다.

더 작은 폼 팩터:이러한 장점은 실리콘에 비해 SiC의 더 높은 항복 전압과 열전도도에서 비롯됩니다. 실리콘과 실리콘 카바이드 트랜지스터가 각각 동일한 항복 전압을 견디도록 설계된다면 기존 실리콘 트랜지스터는 SiC 트랜지스터보다 훨씬 커야 합니다. 더 작은 SiC 트랜지스터는 더 큰 실리콘 트랜지스터보다 "온" 저항이 0.25~0.5%만큼 작을 수 있습니다. 이 속성을 통해 전력 손실이 더 낮고 보다 효율적이고 컴팩트한 전력 전자 시스템을 설계할 수 있습니다.

더 높은 스위칭 주파수:SiC 트랜지스터의 더 작은 폼 팩터와 그에 따른 더 높은 스위칭 주파수 덕분에 EV 배터리 충전에 사용되는 것과 같은 전력 변환기에 사용할 수 있는 더 가볍고 저렴한 인덕터 및 커패시터를 설계할 수 있습니다.